参数资料

型号:EMB4T2R

功能描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

标准包装:3,000

系列:-

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大):70mA,100mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k,2.2k

电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大):-

频率 - 转换:100MHz,200MHz

功率 - 最大:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商设备封装:PG-SOT363-6

包装:带卷 (TR)

其它名称:SP000784046

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